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| SK하이닉스 경기도 이천 본사 전경. [제공=SK하이닉스] |
- D램 2세대 10나노급 개발 성공…내년 1분기 양산 본격화
- 낸드는 세계 최초 96단 4D 개발…연내 초도 양산 돌입
- 기술혁신ㆍ생산성 향상 ‘We Do Technology’ 실현
[헤럴드경제=천예선 기자] SK하이닉스가 메모리 반도체 양대축인 D램과 낸드플래시에서 잇따라 혁신 제품 개발에 성공해 주목받고 있다. 중국의 매서운 추격에 따른 미래 반도체 시장의 급변에 성공적으로 대응하고 있다는 평가가 나온다.
핵심 첨병은 ‘2세대 10나노급 D램’과 세계 최초로 개발한 ‘96단 4D 낸드’ 기술력이다.
SK하이닉스는 지난 12일 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램 개발에 성공했다고 밝혔다. 이번에 개발된 2세대 제품은 1세대(1x) 대비 생산성을 20% 높이고 전력 소비는 15% 이상 낮췄다.
데이터 전송 속도 또한 데이터 전송시 주고받는 신호를 기존보다 두배 늘려 업계 최고 수준을 달성했다.
김석 DRAM마케팅담당 상무는 “고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 것과 같다”며 “내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 말했다.
이에 앞서 일주일 전인 지난 5일에는 낸드플래시 부문에서 새 이정표를 세웠다.
4D낸드는 기존 3D 낸드보다 한단계 진화한 것으로, 3D 낸드에 적용되는 CTF(Charge Trap Flash)구조에 PUC(Peri Under Cell)를 결합한 것을 말한다.
통상 낸드 제조사들이 셀의 작동을 관장하는 주변부(Peri) 회로를 셀 옆에 두는 것과 달리 SK하이닉스는 주변부 회로를 셀 아래 배치한 것이 특징이다.
회사 측은 “아파트 옥외 주차장을 지하 주차장으로 구조 변경해 공간 효율을 극대화한 것에 비유할 수 있다”고 설명했다.
이 제품은 기존 주력이었던 72단 3D 낸드보다 사이즈는 30% 이상 줄었고, 웨이퍼당 비트 생산은 1.5배 증가했다. 쓰기와 읽기 성능 역시 각각 30%, 25% 향상됐다.
김정태 NADN마케팅 담당 상무는 “96단 4D 제품은 업계 최고 수준의 원가경쟁력과 성능을 동시에 갖춘 SK하이닉스 낸드 사업의 이정표가 될 것”이라며 “연내 초도 양산을 시작하고 향후 최근 준공한 M15에서도 본격 양산에 돌입해 시장 요구에 적극 대응할 것”이라고 말했다.
96단 4D낸드와 동일한 기술을 적용한 차세대 128단 4D낸드 제품도 동시 개발 중이다.
앞서 SK하이닉스는 지난 8월 미국 산타클라라에서 열린 세계 최대 낸드 포럼인 플래시 메모리 서밋(FMS)에서 낸드 적층 기술을 발전시켜 향후 500단 이상 적층 낸드 플래시를 개발하겠다고 공언한 바 있다.
이같은 기술 혁신은 적극적인 투자로 가능했다.
SK하이닉스는 2012년 SK에 편입된 이후 시설투자에만 44조원, 연구개발(R&D)에는 10조원 이상을 투입했다. 올해 시설투자는 사상 최대였던 작년 10조3000억원을 훌쩍 뛰어 넘는 16조원에 달할 것으로 예상된다.
적기 투자는 생산성 향상으로 이어지고 있다. 지난달 낸드 전용인 청주 M15공장 준공에 이어 연내 중국 우시 팹확장 공사가 완료되면 D램 생산능력이 추가로 확보된다.
업계 관계자는 “SK하이닉스가 국내에서는 1세대 10나노급인 1x 기술 성숙도를 높이고 2세대 1y 테크 전환을 준비하면서, 중국에서는 기존 20나노급 2zㆍ2y 생산력을 확보해 D램 가격 하락에 대한 대응력을 높일 수 있을 것”이라고 말했다.
/cheon@heraldcorp.com
