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| SK하이닉스가 개발한 2세대 10나노급(1y) DDR5 D램 [제공=SK하이닉스] |
- 낸드 세계 최초 96단 4D 개발…연내 초도 양산 돌입
- 급변하는 반도체 시장 기술력으로 선제 대응
[헤럴드경제=정순식 기자] SK하이닉스가 메모리 반도체 양대축인 D램과 낸드플래시에서 잇따라 혁신 제품 개발에 성공해 주목받고 있다.
첨단기술을 적용한 메모리 반도체 개발로 SK하이닉스는 중국의 매서운 추격에 따른 미래 반도체 시장의 급변에 선제적으로 대응하고 있다는 평가다.
첨단 기술의 핵심 첨병은 DDR4 및 DDR5 D램과 세계 최초로 개발한 ‘96단 4D 낸드’ 기술력이다.
SK하이닉스는 지난 12일 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램 개발에 성공한 데 이어 15일 동일한 미세공정을 적용한 16Gbit DDR5도 주요 칩셋 업체에 제공함으로써 업계를 선도하는 기술경쟁력을 확보할 수 있게 됐다고 밝혔다.
현 메모리 시장 주력 제품의 업그레이드와 동시에 수년후 시장을 주도할 차세대 제품의 개발을 잇따라 성공시킨 것이다.
DDR는 PC에 사용되는 D램의 표준규격으로, 현재는 DDR4가 주로 쓰이고 있다.
이번에 개발한 DDR5는 세계 최초로 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 규격을 적용한 제품이다. DDR5는 DDR4를 잇는 차세대 D램 표준규격으로 빅데이터, 인공지능, 머신러닝 등 차세대 시스템에 최적화된 초고속, 저전력, 고용량 제품이다.
시장조사기관 IDC는 2020년부터 DDR5 수요가 본격적으로 발생하기 시작해 2021년에는 전체 D램 시장의 25%, 2022년에는 44%로 지속 확대될 것으로 예상하고 있다.
이 제품은 이전 세대인 DDR4 대비 동작 전압이 기존 1.2V에서 1.1V로 낮아져 전력 소비량이 30% 감축됐다. 전송 속도는 3200Mbps에서 5200Mbps로 1.6배 가량 향상됐다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(3.7GByte) 11편에 해당되는 41.6GByte(기가바이트)의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다.
SK하이닉스 D램개발사업 VPD담당 조주환 상무는 “세계 최초로 JEDEC 표준 규격의 DDR5 D램 제품을 만든 기술 경쟁력을 기반으로, DDR5 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 고객 수요에 적극 대응할 계획”이라고 말했다.
SK하이닉스는 앞서 지난 5일에는 낸드플래시 부문에서도 새 이정표를 세웠다.
SK하이닉스는 세계 최초로 96단 4차원(4D) 낸드플래시 개발에 성공하고 연내 첫 양산에 돌입한다고 선언했다.
4D낸드는 기존 3D낸드보다 한단계 진화한 것으로, 3D낸드에 적용되는 CTF(Charge Trap Flash)구조에 PUC(Peri Under Cell)를 결합한 것을 말한다.
통상 낸드 제조사들이 셀의 작동을 관장하는 주변부(Peri) 회로를 셀 옆에 두는 것과 달리 SK하이닉스는 주변부 회로를 셀 아래 배치한 것이 특징이다.
이 제품은 기존 주력이었던 72단 3D낸드보다 사이즈는 30% 이상 줄었고, 웨이퍼당 비트 생산은 1.5배 증가했다. 쓰기와 읽기 성능 역시 각각 30%, 25% 향상됐다.
김정태 SK하이닉스 NADN마케팅 담당 상무는 “96단 4D 제품은 업계 최고 수준의 원가경쟁력과 성능을 동시에 갖춘 SK하이닉스 낸드 사업의 이정표가 될 것”이라며 “연내 초도 양산을 시작하고 향후 최근 준공한 M15에서도 본격 양산에 돌입해 시장 요구에 적극 대응할 것”이라고 말했다.
96단 4D낸드와 동일한 기술을 적용한 차세대 128단 4D낸드 제품도 동시 개발 중이다.
앞서 SK하이닉스는 지난 8월 미국 산타클라라에서 열린 세계 최대 낸드 포럼인 플래시 메모리 서밋(FMS)에서 낸드 적층 기술을 발전시켜 향후 500단 이상 적층 낸드 플래시를 개발하겠다고 공언한 바 있다.
sun@heraldcorp.com
